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Velocidad de memoria: 266 MHz, Latencia CAS: CL2.5, Voltaje de memoria: 2.5V. La Memoria RAM Kingston DRAM es una opción adecuada para aquellos que buscan mejorar el rendimiento y la capacidad de su dispositivo Sony KSY-C1MV/256. Con un factor de forma compacto de 144-pin SO-DIMM, esta memoria interna ofrece una capacidad total de almacenamiento de 0,25 GB. El tipo interno de memoria utilizada en este producto es DRAM (Dynamic Random Access Memory), lo que significa que se trata de una tecnología volátil capaz de acceder a los datos con mayor rapidez que otros tipos como SDRAM o DDR3. Además, cuenta con una velocidad nominal del reloj (clock) igual a 266 MHz y latencia CAS igual a CL2.5. En cuanto al voltaje necesario para alimentar esta unidad, se requiere un suministro eléctrico constante equivalente a 2.5V durante su funcionamiento normal. En resumen, la Memoria RAM Kingston DRAM representa una solución práctica y eficiente para ampliar las capacidades informáticas del usuario s

Ram Kingston DDR3 3 de 8 GB cada una vendo las dos por 1000 pesos

NOTA: MEMORIA RAM USADA Precio: $400 Caracteristicas: Marca Kingston Fabricante Kingston Modelo KNWMX1-ETB Número de parte KNWMX1-ETB Tamaño de RAM 4 GB Capacidad de almacenamiento de la memoria 4 GB Tipo de memoria del equipo DDR3 SDRAM Baterías incluidas No Baterías necesarias No Velocidad de transferencia de datos 1600 MHz Tiene enfoque automático No Tiene botones programables No

Memoria RAM para PC marca Kingston con las siguiente características Modelo: KTW149-ELD Capacidad: 1Gb Tipo: DDR3 SDRAM Speed: 1333Mhz PC3-10600 Latencia: CL9 Pins: 240 Pin Voltaje: 1.5v Piezas disponibles 2 Precio por pieza $100 c/u Si tienes duda en cuanto a compatibilidad, puedes consultar por este medio.

Impactante iluminación RGB con estilo audaz Tecnología patentada [Kingston FURY] Infrared Sync Intel XMP-Ready Ready for AMD Ryzen Tamaño de RAM ‎32 GB Tecnología de la memoria ‎DDR4 Tipo de memoria del equipo ‎DDR4 SDRAM Velocidad del reloj de la memoria ‎3200 MHz Voltaje ‎1.35 Voltios Sistema operativo ‎Intel XMP,Ryzen

Disipador de calor con diseño de bajo perfil Actualización a DDR4 de alto rendimiento con costos mínimos Intel XMP-Ready Ready for AMD Ryzen Tamaño de RAM ‎8 GB Tecnología de la memoria ‎DDR4 Tipo de memoria del equipo ‎DIMM Velocidad del reloj de la memoria ‎3200 MHz

Disipador de calor con diseño de bajo perfil Actualización a DDR4 de alto rendimiento con costos mínimos Intel XMP-Ready Ready for AMD Ryzen Tamaño de RAM ‎8 GB Tecnología de la memoria ‎DDR4 Tipo de memoria del equipo ‎DIMM Velocidad del reloj de la memoria ‎2666 MHz

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La memoria RAM Kingston DDR4, modelo KTH-PL432S8/8G, es un componente diseñado para su uso en PC y servidores. Tiene una capacidad de 8 GB y utiliza tecnología ECC (Error Checking and Correcting), que permite detectar y corregir errores de datos. Esta memoria tiene una clasificación de velocidad de 3200 MHz, lo que significa que puede procesar datos a alta velocidad. Además, cuenta con un factor de forma de 288-pin DIMM, lo cual indica el número y disposición física de los contactos eléctricos en el módulo. En cuanto al tipo de memoria interna, esta RAM utiliza la tecnología DDR4. La latencia CAS está especificada como 22, lo cual se refiere al tiempo necesario para acceder a los datos almacenados en la memoria. Es importante destacar que esta memoria es del tipo Registered (buffered), lo cual implica que incorpora un búfer o registro adicional entre el controlador de memoria y los chips DRAM. Esto ayuda a mejorar la estabilidad del sistema y reduce las posibles interferencias eléc

Memoria RAM Kingston KVR16N11S6/2 2GB 1Rx16 256M x 64-Bit PC3-12800 CL11 240-Pin DIMM. (Precio por los 2 módulos) Este documento describe los 256M x 64 bits de ValueRAM (2GB) DDR3-1600 CL11 SDRAM (DRAM sincrónica) 1Rx16, módulo de memoria, basado en cuatro componentes FBGA de 256M x 16 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC Temporización DDR3-1600 del 11-11-11 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines usa dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes: CARACTERISTICAS Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin 8 bancos internos independientes Latencia programable de CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6 Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj prebúsqueda de 8 bits Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS] Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales Calibración interna (auto): auto calibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%) En la terminación del troquel utilizando un pin ODT Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C

$ 500