Latencia lectura

La memoria RAM Team Group Delta RGB DDR5 es un componente para PC que cuenta con un factor de forma de 288-pin DIMM. Tiene una velocidad de memoria del reloj de 7800 MHz y utiliza canales de memoria doble. En cuanto a la latencia, tiene una latencia aleatoria en escritura de hasta 84 µs y una latencia aleatoria en lectura de hasta 48 µs. La latencia CAS es de 38 y la latencia secuencial en lectura alcanza los 38 µs. El color de luz de fondo disponible para esta memoria RAM es rojo, verde y azul. Utiliza el tipo Unregistered (unbuffered) como buffered memory type. El voltaje necesario para su funcionamiento es de 1.4 V. Esta memoria RAM ofrece una capacidad interna total de 32 GB, distribuida en dos módulos x tamaño: cada uno con una capacidad individualizada por módulo igual a16 GB. Además, cuenta con retroiluminación incorporada pero no dispone del sistema ECC (Error Checking and Correcting).

Unidad SSD centrada en lectura con excepcionales niveles de E/S y predictibilidad de latencia La unidad Data Center 450R (DC450R) de Kingston es un SSD SATA de alto rendimiento de 6 Gb/s que utiliza la más avanzada tecnología NAND TLC 3D, diseñada para cargas de trabajo en aplicaciones centradas en la lectura. Este simplificado SSD se caracteriza por excepcionales niveles de E/S y de predictibilidad de latencia, un requisito cada vez más habitual en las unidades SSD para centros de datos. Desarrollado conforme a los estrictos requisitos de calidad de servicio de Kingston, el DC450R ha sido diseñado para garantizar una notable uniformidad de rendimiento, lo cual lo hace ideal para cargas de trabajo con elevados niveles de caché de lectura y alta intensidad de operaciones de lectura SSD Data Center Enterprise Para satisfacer sus necesidades de negocio de funcionamiento ininterrumpido y máxima fiabilidad. Los SSD DC450R de Kingston incorpo

Disco duro usado Original 180 GB SSD Intel® Pro serie 1500 Excelentes condiciones Intel® SSD Pro 1500 Series Capacidad 180 GB Formato: 2,5" Pulgadas Interfaz: SATA 3,0 6Gb/S Especificaciones sobre rendimiento Lectura secuencial (máximo) : 540 MB/s Escritura secuencial (máximo) : 490 MB/s Lectura aleatoria (alcance de 8 GB) (máximo): 41000 IOPS Escritura aleatoria (alcance de 8 GB) (máximo) : 80000 IOPS Latencia - Lectura : 80 µs Latencia - Escritura: 85 µs

Módulo De Memoria Optane 16gb Pcie Nvme M.2 2280 3d Xpoint. * Este producto viene desde China DESCRIPCIÓN Características: Tecnología de almacenamiento de nueva generación: Un salto revolucionario para reducir drásticamente la latencia y acelerar los sistemas para satisfacer cargas de trabajo de almacenamiento de alta capacidad y alta velocidad. Memoria inteligente: haga que su PC sea más rápido y rápido, más rápido en el uso diario, el trabajo, los juegos y el diseño. Rendimiento mejorado: el rendimiento general del sistema aumentó en un 28%, el sistema de acceso al disco duro aumentó en 14 veces, las tareas diarias aumentaron en 2 veces, el inicio del juego aumentó en un 18% y la velocidad de carga del juego aumentó en un 58%. Soporte de protocolo NVMe: lectura de alta velocidad, lectura secuencial y escritura hasta 1350MB/s 290MB/s. Soporte para sistema Windows 10 de 64 bits. Especificación: Capacidad: 16 GB, 32 GB (opcional) Interfaz: PCI-e NVMe 3.0 x299 Estado del producto: NUEVO, caja abierta, sin embalaje al por menor Tamaño: aprox. 22 x 80 mm/0.9 * 3.1in 16 GB lectura aleatoria y escritura: 190000IOPS/35000IOPS 32 GB lectura aleatoria y escritura: 240000 IOPS/65000 IOPS 16GB de lectura secuencial y escritura: 900MB/s, 145MB/s 32GB de lectura secuencial y escritura: 1350MB/s, 290MB/s Soporte del sistema: para Windows 10 64 bits límite del sistema operativo: UEFI 64bit Soporte de CPU: 7ª u 8ª generación i3 i5 i7 Core procesador, a escritorio para Intel PentiumTM y para Intel Procesadores CeleronTM (debe tener la BIOS del sistema adecuada para soportarlo). Chipsets compatibles: para la serie de chipsets Intel 300240: Desktop, desktop de gama alta (hedt), estación de trabajo (ws), por ejemplo: h370, b360, c246, z370, z390 para el chipset Intel serie 100 serie 230 chipset sata ahcione-fload Controller - para el chipset Intel hm175, para el chipset Intel qm175, para Intel cm238 Chipset, para el chipset Intel C236 Lista de paquetes: 1 * Módulo de memoria Nota: La placa base debe estar equipada con una interfaz M.2 para su instalación y uso. Este producto funciona mejor con un disco duro mecánico. No se recomienda usar SSD. Este producto requiere cierta capacidad práctica y necesita estar familiarizado con el sistema de instalación. Instrucciones de descarga e instalación del controlador, consulte: https://downloadcenter.intel.com/download/28649/-?product=35125 ESPECIFICACIONES

Memorias Kingston KVR1333D3N9/2G 2GB 2Rx8 256M x 64-Bit PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM. Este documento describe los 256M x 64 bits de ValueRAM (2GB) DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM sincrónica), memoria 2Rx8 módulo, basado en dieciséis FBGA DDR3-1333 de 128M x 8 bits componentes. El SPD está programado según el estándar JEDEC latencia DDR3-1333 sincronización de 9-9-9 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines usa dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes: CARACTERISTICAS Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin 8 bancos internos independientes Latencia programable de CAS: 9, 8, 7, 6 Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333) prebúsqueda de 8 bits Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS] Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales Calibración interna (auto): auto calibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%) En la terminación del troquel utilizando un pin ODT Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C

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