Dram

Velocidad de memoria: 266 MHz, Latencia CAS: CL2.5, Voltaje de memoria: 2.5V. La Memoria RAM Kingston DRAM es una opción adecuada para aquellos que buscan mejorar el rendimiento y la capacidad de su dispositivo Sony KSY-C1MV/256. Con un factor de forma compacto de 144-pin SO-DIMM, esta memoria interna ofrece una capacidad total de almacenamiento de 0,25 GB. El tipo interno de memoria utilizada en este producto es DRAM (Dynamic Random Access Memory), lo que significa que se trata de una tecnología volátil capaz de acceder a los datos con mayor rapidez que otros tipos como SDRAM o DDR3. Además, cuenta con una velocidad nominal del reloj (clock) igual a 266 MHz y latencia CAS igual a CL2.5. En cuanto al voltaje necesario para alimentar esta unidad, se requiere un suministro eléctrico constante equivalente a 2.5V durante su funcionamiento normal. En resumen, la Memoria RAM Kingston DRAM representa una solución práctica y eficiente para ampliar las capacidades informáticas del usuario s

Pongo a la ventas este kit Kit de memoria VENGEANCE (2x8GB) DRAM DDR4 a 2400 , un mes de uso, recientemente me regalaron un kit a 3200, por eso las pongo a la venta, se usaron durante un mes para trabajo de oficina.

Corsair Vengeance DDR4 DRAM - Memoria de computadora, 3000MHz C16, Negro, 8GB Kit (2 x 4GB)

Los módulos son Samsung b-die. Las memorias se encuentran funcionando perfectamente, se venden por actualizar la capacidad. El kit está completo, incluye el ventilador Vengeance Airflow.

Especificación de Cisco ISR4351 / K9 Rendimiento agregado 200 Mbps a 400 Mbps Total de puertos WAN o LAN 10/100/1000 integrados 3 Puertos basados en RJ-45 3 Puertos basados en SFP 3 Ranuras de módulo de servicio mejoradas 2 Ranuras de módulo de servicio de doble ancho 1 (asume que no hay módulos SM-X de un solo ancho instalados) Ranuras NIM 3 OIR (todos los módulos de E / S) sí Ranura de ISC a bordo 1 Memoria predeterminada de doble velocidad de datos 3 (DDR3) código de corrección de errores (ECC) DRAM (Control / servicios / planos de datos combinados) 4 GB Memoria máxima DDR3 ECC DRAM (control / servicios / planos de datos combinados) 16 GB Memoria predeterminada DDR3 ECC DRAM (plano de datos) N / A Memoria máxima DDR3 ECC DRAM (plano de datos) N / A Memoria predeterminada DDR3 ECC DRAM (plano de control / servicios) N / A Memoria máxima DDR3 ECC DRAM (plano de control / servicios) N / A Memoria flash predeterminada 4 GB Memoria flash máxima 16 GB

Especificación de Cisco ISR4351 / K9Rendimiento agregado 200 Mbps a 400 MbpsTotal de puertos WAN o LAN 10/100/1000 integrados 3Puertos basados en RJ-45 3Puertos basados en SFP 3Ranuras de módulo de servicio mejoradas 2Ranuras de módulo de servicio de doble ancho 1 (asume que no hay módulos SM-X de un solo ancho instalados)Ranuras NIM 3OIR (todos los módulos de E / S) síRanura de ISC a bordo 1Memoria predeterminada de doble velocidad de datos 3 (DDR3) código de corrección de errores (ECC) DRAM (Control / servicios / planos de datos combinados) 4 GBMemoria máxima DDR3 ECC DRAM (control / servicios / planos de datos combinados) 16 GBMemoria predeterminada DDR3 ECC DRAM (plano de datos) N / AMemoria máxima DDR3 ECC DRAM (plano de datos) N / AMemoria predeterminada DDR3 ECC DRAM (plano de control / servicios) N / AMemoria máxima DDR3 ECC DRAM (plano de control / servicios) N / AMemoria flash predeterminada 4 GBMemoria flash máxima 16 GBRanuras USB 2.0 externas (tipo A) 2Puerto de consola USB, tipo B mini (hasta 115,2 kbps) 1Puerto de consola serie: RJ45 (hasta 115,2 kbps) 1Puerto auxiliar serial - RJ45 (hasta 115,2 kbps) 1Opciones de fuente de alimentaciónInterno: CA, CC y PoEFuente de alimentación redundantE N / AVoltaje de entrada ACRango automático de 100 a 240 VCAFrecuencia de entrada de CA47 hasta 63 HzRango de corriente de entrada de CA, fuente de alimentación de CA (máximo) 7,1 hasta 3,0 ACorriente de sobretensión de entrada de CA 60 A pico y menos de 12 Arms por medio ciclo Potencia típica (sin módulos) (vatios) 48Potencia máxima con fuente de alimentación de CA (vatios) 430Potencia máxima con fuente de alimentación PoE (solo plataforma) (vatios)990Potencia máxima de PoE de punto final disponible desde la fuente de alimentación PoE (vatios) 500EQUIPO NUEVO EN CAJA CON ACCESORIOS+++ FORMAS DE PAGO +++Solo aceptamos mercado pago.SI FACTURAMOS, NUESTROS PRECIOS YA INCLUYEN IVA.+++ FORMAS DE ENVÍO: +++A travez de M

EL SSD SU800 hace honor a su nombre de Ultimate con Flash NAND 3D que proporciona una mayor densidad de almacenamiento, eficiencia y fiabilidad que la NAND 2D tradicional. Incluye caché SLC inteligente y un búfer con caché DRAM para aumentar aún más el rendimiento de lectura/escritura. Con LDPC ECC y tecnologías como TBW (total de bytes escritos) y DEVSLP (dispositivo en suspensión), el Ultimate SU800 actualiza al instante portátiles y PCs de sobremesa con una estabilidad, durabilidad y eficiencia energética superiores. Características del producto NAND Flash 3D Incluyendo la avanzada Flash NAND 3D, el Ultimate SU800 cuenta con grandes capacidades de almacenamiento, una mayor eficiencia y fiabilidad y una mejor relación calidad-precio. El Ultimate SU800 alcanza altas velocidades de lectura/escritura para acelerar el PC. Caché SLC inteligente y búfer de caché DRAM El algoritmo de caché SLC inteligente permite a la memoria NAND Flash funcionar en modo de celda de un sólo nivel y aumenta el rendimiento de lectura/escritura. Además, al ser compatible con búfer de caché DRAM, el rendimiento de lectura/escritura puede llegar a ser el doble de las unidades solid state sin caché DRAM, en otras palabras, no pueden utilizar la memoria del sistema como búfer de SSD para tareas de gran intensidad. Motor LDPC ECC avanzado El código de corrección de errores de comprobación de paridad de baja densidad se ha implementado en el Ultimate SU800, llevando a una reducción drástica de los errores de datos y un aumento igual en la integridad de los datos. Por lo tanto, protege su preciado contenido contra la corrupción de datos en un grado mucho mayor que los SSD sin ECC o incluso los SSD que utilizan la corrección de errores BCH básica. Motor RAID y Data Shaping para mayor protección Compatible con el motor RAID y Data Shaping, el Ultimate SU800 asegura la integridad de los datos y ofrece mayor duración del SSD para una estabilidad mejor, más duradera y amortización de lo invertido.

Memoria Ram Laptop Ddr4 8gb 2133mhz Premier Adata. Tipo de módulo U-DIMM Factor de forma altura estándar de 1,23" Tipo de memoria DDR4 Estándar JEDEC Interfaz 288 contactos Densidad 8GB Velocidad 2133MHz Fuente de alimentación VDD y VDDQ = 1,2V±0,06V Fuente de alimentación de activación DRAM VPP= 2.5V (+0,25V / -0,125V) Especificaciones/VCC DRAM DDR4 STD 1,2V Temperaturas de operación 0°C a 85°C

Computadora Mini Pc Cpu Intel Celeron Gigabyte Brix Ram 8gb. INTEL CELERON PROCESADOR GIGABYTE BRIX soporta procesadores SoC Intel de tercera generación de baja potencia de doble núcleo que cuentan con modelos 6W Intel Celeron potencia eficiente. Desde un simple punto de acceso a Internet hasta una estación multimedia de gama alta, GIGABYTE BRIX ofrece una amplia gama de escenarios de uso y la máxima flexibilidad espacial. Se espera que GIGABYTE BRIX genere hasta un 23% de mejora en la productividad con respecto a la generación anterior. ACTUACIÓN. ESTABILIDAD CONFIABILIDAD EN LA QUE PUEDE CONFIAR Los SSD de GIGABYTE poseen una alta velocidad de transferencia de datos y una mayor resistencia, brindando MTBF * duradero de 2.0 millones de horas MUY RÁPIDA Y ULTRAEFICIENTE Los módulos DDR4 ADATA para portátiles aprovechan ventajas de la nueva generación de productos económicos y de alta fiabilidad. DDR4 ofrece un mayor rendimiento gracias a frecuencias más rápidas en comparación con DDR3, subiendo hasta 2400MHz. Esto lo consigue operando a tan sólo 1,2V, que es 20% menos que DDR3 en términos de consumo energético. ESPECIFICACIONES CPU Intel ® Celeron ® procesador N4000 de 2,6 GHz, 2 de núcleo (TDP 6W) GRÁFICOS Intel ® Gráficos UHD 600 RANURAS DE EXPANSIÓN 1 x ranura PCIe M.2 NGFF 2230 AE ocupada por la tarjeta WiFi + BT E / S FRONTAL 1 x botón de encendido 1 x USB3.0 1 x USB3.0 tipo C 1 x conector para auriculares 1 x conector para micrófono E / S TRASERA 1 x HDMI (1.4b) 2 x USB 3.0 1 x RJ45 1 x VGA FUENTE DE ALIMENTACIÓN Entrada: AC 100-240V Salida: DC 19V 2.1ª DICO DURO Factor de forma: SSD interno de 2.5 pulgadas Capacidad total: 240GB Velocidad de lectura secuencial: Hasta 500 MB / s Velocidad de escritura secuencial: Hasta 420 MB / s Dimensión (W x H x L): 69.85 x 7 x 100 mm MEMORIA RAM Tipo de módulo: SO-DIMM Factor de forma: altura estándar de 1,18" Tipo de memoria: DDR4 Estándar: JEDEC Interfaz: 260 contactos Densidad: 8GB Velocidad: 2400MHz Fuente de alimentación: VDD y VDDQ = 1,2V±0,06V Fuente de alimentación de activación: DRAM VPP= 2,5V (+0,25V / -0,125V) Especificaciones/VCC DRAM: DDR4 STD 1,2V Temperaturas de operación: 0°C a 85°C (MG)

Computadora Mini Pc Cpu Intel Celeron Gigabyte Brix Ram 8gb. INTEL CELERON PROCESADOR GIGABYTE BRIX soporta procesadores SoC Intel de tercera generación de baja potencia de doble núcleo que cuentan con modelos 6W Intel Celeron potencia eficiente. Desde un simple punto de acceso a Internet hasta una estación multimedia de gama alta, GIGABYTE BRIX ofrece una amplia gama de escenarios de uso y la máxima flexibilidad espacial. Se espera que GIGABYTE BRIX genere hasta un 23% de mejora en la productividad con respecto a la generación anterior. ACTUACIÓN. ESTABILIDAD CONFIABILIDAD EN LA QUE PUEDE CONFIAR Los SSD de GIGABYTE poseen una alta velocidad de transferencia de datos y una mayor resistencia, brindando MTBF * duradero de 2.0 millones de horas MUY RÁPIDA Y ULTRAEFICIENTE Los módulos DDR4 ADATA para portátiles aprovechan ventajas de la nueva generación de productos económicos y de alta fiabilidad. DDR4 ofrece un mayor rendimiento gracias a frecuencias más rápidas en comparación con DDR3, subiendo hasta 2400MHz. Esto lo consigue operando a tan sólo 1,2V, que es 20% menos que DDR3 en términos de consumo energético. ESPECIFICACIONES CPU Intel ® Celeron ® procesador N4000 de 2,6 GHz, 2 de núcleo (TDP 6W) GRÁFICOS Intel ® Gráficos UHD 600 RANURAS DE EXPANSIÓN 1 x ranura PCIe M.2 NGFF 2230 AE ocupada por la tarjeta WiFi + BT E / S FRONTAL 1 x botón de encendido 1 x USB3.0 1 x USB3.0 tipo C 1 x conector para auriculares 1 x conector para micrófono E / S TRASERA 1 x HDMI (1.4b) 2 x USB 3.0 1 x RJ45 1 x VGA FUENTE DE ALIMENTACIÓN Entrada: AC 100-240V Salida: DC 19V 2.1ª DICO DURO Factor de forma: SSD interno de 2.5 pulgadas Capacidad total: 240GB Velocidad de lectura secuencial: Hasta 500 MB / s Velocidad de escritura secuencial: Hasta 420 MB / s Dimensión (W x H x L): 69.85 x 7 x 100 mm MEMORIA RAM Tipo de módulo: SO-DIMM Factor de forma: altura estándar de 1,18" Tipo de memoria: DDR4 Estándar: JEDEC Interfaz: 260 contactos Densidad: 8GB Velocidad: 2400MHz Fuente de alimentación: VDD y VDDQ = 1,2V±0,06V Fuente de alimentación de activación: DRAM VPP= 2,5V (+0,25V / -0,125V) Especificaciones/VCC DRAM: DDR4 STD 1,2V Temperaturas de operación: 0°C a 85°C SOMOS MAYORISTAS LAS IMÁGENES EXPUESTAS SON CON FINES ILUSTRATIVOS. Las Especificaciones y las imágenes están sujetas a cambios sin previo aviso. Todas las marcas de fábrica son propiedad de sus respectivos dueños. (MG)

DescripciónGateway de servicios SRX550 con DRAM de 4 GB y CF de 8 GB, altura de 2 RU, 6 ranuras GPIM, 2 ranuras Mini-PIM, 6 puertos 10/100 / 1000BASE-T, puertos SFP 4GbE, ranuras PS dobles, ventiladores; Se envía con una fuente de alimentación de CA de 645 vatios con alimentación PoE de 247 W (cable de alimentación y kit de montaje en bastidor incluidos)Rendimiento del cortafuegos (máx.) 5,5 GbpsRendimiento IPS 800 MbpsRendimiento VPN AES256 + SHA-1 / 3DES + SHA-1 1,0 GbpsMáximo de sesiones simultáneas 375.000Nuevas sesiones / segundo (sostenidas, TCP, 3 vías) 27.000Políticas de máxima seguridad 7256Entradas de alimentación de datos de inteligencia de seguridad máxima en la base de datos de reglas de firewall 600.000 direcciones IP y 50.000 URLE / S fija 6 x 10/100/1000 BASE-T + 4 SFPRanuras de E / S 2 x Mini-PIM de la serie SRX, 6 x GPIM o múltiples combinaciones de GPIM y XPIMNúmero máximo de puertos PoE (PoE opcional en algunos modelos de la serie SRXHasta 40 puertos de 802.3af / at con un máximo de 247 WUSB 2Enrutamiento (modo paquete) PPS 1000 KppsTúneles VPN concurrentes 2.000Memoria (DRAM) 2 GB / 4 GBRanuras de memoria 2 DIMMMemoria flash 2 GB / 8 GB CF internosPuerto USB para almacenamiento externo síDimensiones (An x Al x Pr) 17,5 x 3,5 x 18,2 pulgadas (44,4 x 8,8 x 46,2 cm)Montable en bastidor Sí, 2 RUFuente de alimentación (CA) 100-240 VCA, simple 645 W o doble 645 WPotencia máxima de PoE 247 W redundante o 494 W no redundanteDisipación de calor promedio 238 BTU / horaFuente de alimentación redundante (intercambiable en caliente) Sí (hasta la capacidad máxima de una sola fuente de alimentación)Temperatura operativa 32 ° a 104 ° F (0 ° a 40 ° C)+++ FORMAS DE PAGO +++Solo aceptamos mercado pago.SI FACTURAMOS, NUESTROS PRECIOS YA INCLUYEN IVA.+++ FORMAS DE ENVÍO: +++A travez de Mercado Envíos es gratis la paquetería la determina Mercado Libre (DHL o FEDEX).El tiempo de entrega es de 1 a 3 días

4 GB de Memoria RAM DDR4, 2400MHz, Non-ECC, CL17 Marca: Micron Technology Inc., certificada para HP/r/r/r/r/r/rLA VERDAD EN LA MEMORIA/r/r/r/r¡Los fabricantes de computadoras no fabrican su propia memoria RAM! ¡Solo etiquetan los módulos con pegatinas de su propia marca y los ensamblan en sus propias computadoras. Compran a Micron Technology Inc y Samsung, que si fabrican la DRAM/r/r/r/rNumero de parte: MTA4ATF51264AZ-2G3B1/r/r/r/rDimensiones: 5,125 x 0,039 x 1,181 pulgadas/r/r/r/rFactor de forma: UDIMM/r/r/r/rCódigo de corrección de errores: no ECC/r/r/r/rCantidad del kit: 1x4GB/r/r/r/rTecnología: DDR4-2400/r/r/r/rVoltaje: 1.2V/r/r/r/rRango: 1Rx16/r/r/r/rLatencia Cas: CL17 (17-17-17)/r/r/r/rAltura: ETS/r/r/r/rFabricado por: Micron Technology Inc./r/r/r 4 GB de Memoria RAM DDR4, 2400MHz, Non-ECC, CL17 Marca: Samsung, certificada para HP/r/r/r/rNumero de parte: M378A5244CB0-CRC/r/r/r/rDimensiones: 5,125 x 0,039 x 1,181 pulgadas/r/r/r/rFactor de forma: UDIMM/r/r/r/rCódigo de corrección de errores: no ECC/r/r/r/rCantidad del kit: 1x4GB/r/r/r/rTecnología: DDR4-2400/r/r/r/rVoltaje: 1.2V/r/r/r/rRango: 1Rx16/r/r/r/rLatencia Cas: CL17/r/r/r/rAltura: ETS/r/r/r/rFabricado por: Samsung/r/r/r/rReferencia externa de informacion/r/rhttps://semiconductor.samsung.com/dram/module/udimm/m378a5244cb0-crc//r/r/r/rhttps://www.memory4less.com/samsung-4gb-ddr4-pc19200-m378a5244cb0-crc

¿Tu servidor ha sido configurado con la memoria necesaria para realizar las funciones a medida que estas aumenten con el paso del tiempo? La memoria de servidor de HPE está diseñada para usuarios de PYMES y empresas con una necesidad significativa de rendimiento y capacidad junto con un deseo de gestionar el costo total de propiedad. HPE SmartMemory ofrece la optimización total de la memoria del servidor, funciona a la máxima velocidad de rendimiento y se encuentra entre la memoria más eficiente disponible. Además del rendimiento y la eficiencia, HPE SmartMemory también ofrece fiabilidad. Solo los módulos de memoria DRAM de más alta calidad son seleccionados de los principales proveedores. Ahora más que nunca, la calidad de la DRAM es crucial, al igual que las tendencias de los centros de datos como la virtualización de servidores, la computación en la nube y el uso de aplicaciones de grandes ba

ADATA continúa liderando la industria en frecuencia y densidad de la DRAM con estos módulos de memoria de 8GB Premier Series DDR3 1600 de una pieza. Han sido diseñados y fabricados para soportar los requisitos más exigentes de entusiastas y profesionales. La alta densidad de los 8 GB supera situaciones donde hay pocas ranuras DRAM en la placa base, permitiendo a los usuarios maximizar el potencial del sistema y su rendimiento. Cumple con los estándares y especificaciones más exigentes La DDR3 serie Premier de 1600 Mbps y 240 contactos (DIMM sin búfer) son módulos de diseño de contactos estándares que funcionan a 1,5 voltios, con un ancho de banda de transmisión de hasta 12,8 Gb/segundo (PC3 12800). Tecnología punta de implementación de los módulos de memoria que permite gran densidad de memoria en un único módulo. Todos los módulos cumplen con los estándares de

¿Tu servidor ha sido configurado con la memoria necesaria para realizar las funciones a medida que estas aumenten con el paso del tiempo? La memoria de servidor de HPE está diseñada para usuarios de PYMES y empresas con una necesidad significativa de rendimiento y capacidad junto con un deseo de gestionar el costo total de propiedad. HPE SmartMemory ofrece la optimización total de la memoria del servidor, funciona a la máxima velocidad de rendimiento y se encuentra entre la memoria más eficiente disponible. Además del rendimiento y la eficiencia, HPE SmartMemory también ofrece fiabilidad. Solo los módulos de memoria DRAM de más alta calidad son seleccionados de los principales proveedores. Ahora más que nunca, la calidad de la DRAM es crucial, al igual que las tendencias de los centros de datos como la virtualización de servidores, la computación en la nube y el uso de aplicaciones de grandes bases de datos han aumentado la necesidad de una mayor capacidad de memoria con un mayor ti

Ssd M.2 1tb Disco Duro Estado Solido Xpg Gammix 2280 Pcie. Descripción La GAMMIX S11 Pro, que emplea la interfaz SSD NVMe de 1TB extra rápida y la NVMe 1.3 compatible, ofrece velocidades de lectura / escritura increíblemente rápidas de hasta 3500 / 3000MB por segundo. Además, el S11 Pro está encerrado en un disipador de calor que reduce las temperaturas del SSD hasta en 10 ° C. Equipado con 3D NAND Flash junto con SLC Caching, un búfer de caché DRAM, protección de datos de extremo a extremo y tecnología LDPC ECC, mantiene altas velocidades e integridad de datos incluso durante juegos intensos, renderizado, overclocking y otras aplicaciones de alta demanda.. RENDIMIENTO DE VANGUARDIA Interfaz PCIe Gen3x4: lectura / escritura hasta 3500 / 3000MB / s NVMe 1.3 compatible Flash NAND 3D de próxima generación: mayor capacidad, durabilidad y eficiencia energética Factor de forma M.2 2280: admite escritorios con las últimas plataformas Intel y AMD Diseñado para profesionales: ideal para jugadores, entusiastas de PC, overclockers y profesionales de reproducción de video CABEZA FRÍA EN LA CARA DE LA BATALLA Un disipador de calor con un diseño inspirado en un automóvil deportivo hace que el S11 Pro se vea y se mantenga fresco. En comparación con los SSD M.2 sin un disipador de calor, el S11 Pro es hasta 10 ° C más frío, lo que ofrece una mayor estabilidad del sistema. ACELERAR A LA VICTORIA Con SLC Caching y un búfer de caché DRAM, el S11 Pro acelera las velocidades de lectura / escritura hasta 3500 / 3000MB / sy ofrece un rendimiento aleatorio de hasta 390K / 380K IOPS. Ya sea que esté iniciando, jugando o transfiriendo archivos grandes, el S11 Pro los realiza de manera rápida y efectiva. 3D NAND FLASH - CAPACIDADES MÁS ALTAS PARA MÁS JUEGOS Al implementar el flash 3D NAND avanzado, el S11 Pro ofrece mayores capacidades de almacenamiento de hasta 1TB, al mismo tiempo que proporciona una mayor eficiencia, una confiabilidad robusta y un alto TBW (Total Bytes Written). INTEGRIDAD DE LOS DATOS, SEGURIDAD Y ESTABILIDAD La GAMMIX S11 Pro es compatible con la tecnología de código de corrección de errores LDPC (Low-Density Parity-Check) para detectar y corregir una amplia gama de errores de datos para transferencias de datos más precisas. Mientras tanto, la protección de datos de extremo a extremo y el soporte del motor RAID garantizan la seguridad de los datos y mejoran la estabilidad de la transmisión. ESPECIFICACIONES DESEMPEÑO Escritura aleatoria (4KB): 380000 IOPS Lectura aleatoria (4KB): 390000 IOPS Tiempo medio entre fallos: 2000000 h Compatibilidad con RAID: Si Control de paridad de baja densidad (LDPC): Si Velocidad de escritura secuencial (CDM): 3000 MB / s Velocidad de escritura secuencial (ATTO): 2800 MB / s Velocidad de escritura secuencial (AS SSD): 2500 MB / s Velocidad de lectura secuencial (CDM): 3500 MB / s Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 Calificación TBW: 640 Tipo de flash NAND: TLC (triple nivel de células) Compatible con NVM Express (NVMe): Si Versión NVM Express (NVMe): 1.3 Componente para: PC Tecnologías específicas: SLC Caching Velocidad de lectura secuencial (ATTO): 3350 MB / s ECC: Si Tipo de memoria: TLC 3D Velocidad de lectura secuencial (AS SSD): 3000 MB / s DISCO DURO Velocidad de lectura: 3350 MB / s Velocidad de escritura: 2800 MB / s DETALLES TÉCNICOS Golpes en funcionamiento: 1500 G Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95% Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 °C Interfaz: PCI Express 3.0 Capacidad: 1000 GB Factor de forma: M.2 DISEÑO Color del producto: Negro, Rojo Acorde RoHS: Si PESO Y DIMENSIONES Peso: 11 g Ancho: 80 mm Profundidad: 22 mm

Computadora Pc Gamer Gtx 1050 2gb Ryzen 3 1tb 8gb 80+ Tuf. XXXXX TIENDA OFICIAL Powered By Asus XXXXX SERIE TUF GAMING TUF Gaming es una fuerza completamente nueva para todos aquellos que demandan una durabilidad superior, estabilidad confiable y un gran valor en el sector de PC gaming. Hemos creado desde tarjetas madre, laptops, PCs de escritorio, gabinetes, teclados, micrófonos y audífonos, con muchas más emocionantes innovaciones en camino. Cada producto de la serie TUF Gaming es rigurosamente probado para su estabilidad y durabilidad, cargadas con características para los gamers, con un estilo único y distintivo de exhibición. También nos hemos asociado con los principales fabricantes de componentes para formar la alianza TUF Gaming un ecosistema floreciente de productos que garantizan la compatibilidad y la armonía estética. TUF GAMING ALLIANCE TUF Gaming Alliance es la marca de colaboración entre ASUS y los principales fabricantes de componentes de PC, incluidas marcas de confianza como: Ballistix, Cooler Master, Corsair, G.Skill, In Win y Themaltake. Una gama cada vez mayor de piezas compatibles, desde gabinetes para PC y fuentes de poder hasta enfriamientos de CPU y DRAM, garantizan la compatibilidad y una armonía estética. También estamos aumentando continuamente nuestras relaciones, lo que hace que TUF Gaming Alliance sea cada vez más sólida. _____________________________________________________ - Computadora PC Gamer GTX 1050 2GB Video + Ryzen 3 2200G + 8GB DDR4 + 1TB HDD + Tarjeta Asus TUF B450M-PLUS Gaming + Gabinete Cooler Master MB500 TUF Edition + 550W 80+ Bronze Semi-Modular - Características - > Tarjeta de Video Asus Phoenix GTX 1050 2GB > Procesador: Ryzen 3 2200G > Tarjeta Madre: Asus TUF B450M-PLUS Gaming > Memoria Ram: Gskill Sniper X TUF Edition > Almacenamiento: Disco Duro 1TB > Gabinete: Inwin 101 Tuf Gaminig Edition > Fuente de Poder: Corsair 550w 80+ Bronze _______________________________________________________ Especificaciones: - Tarjeta de Video NVIDIA GeForce GTX 1050 • Core Name: GP107-300 • Core Clock: - GPU Boost Clock: 1455 MHz - GPU Base Clock: 1354 MHz • Núcleos CUDA: 640 • Memory Clock: 7008MHz • Memory Type: GDDR5 2GB • Memory BUS: 128 bit • Card Bus: PCI-E 3.0 x16 • Output: - DVI Output: Yes x 1 (Native) (DVI-D) - HDMI Output: Yes x 1 (Native) (HDMI 2.0b) - Display Port: Yes x 1 (DisplayPort 1.4) - HDCP Support: Yes (2.2) • Resolución Máxima: 7680x4320 • NVlink/ Crossfire Support: NO • PSU Recommended: 300w • Soporte Máximo de Display: 3 - Procesador: Ryzen 3 2200G • Velocidad de Reloj Base: 3.5GHz hasta 3.7GHz • Cantidad De Nucleos: 4 Núcleos Físicos • Cantidad De Hilos: 4 Hilos • Núcleos de GPU: 8 • Memoria Cache: 4MB L3 Caché • TDP: 46-65W • Soc: AM4 • Gráficos: Radeon Vega 8 - Tarjeta Madre: Asus TUF B450M-PLUS Gaming • CPU Compatible: AMD AM4 Socket AMD Ryzen™ 2nd Generation/Ryzen™ with Radeon™ Vega Graphics/Ryzen™ 1st Generation Processors Supports CPU up to 8 cores. • Memoria RAM: - AMD Ryzen™ 2nd Generation/ Ryzen™ with Radeon™ Vega Graphics/ Ryzen™ 1st Generation Processors - 4 x DIMM, Max. 64GB, DDR4 3200(O.C.)/3000(O.C.)/2800(O.C.)/2666/2400/2133 MHz Un-buffered Memory - Dual Channel Memory Architecture - ECC Memory (ECC mode) support varies by CPU. • Soporte Multi-GPU: Supports AMD CrossFireX™ Technology • Puertos de Expansión: - AMD Ryzen™ 2nd Generation/ Ryzen™ 1st Generation Processors * 1 x PCIe 3.0/2.0 x16 (x16 mode) - AMD Ryzen™ with Radeon™ Vega Graphics Processor * 1 x PCIe 3.0/2.0 x16 (x8 mode) - AMD B450 chipset * 1 x PCIe 2.0 x16 (max at x4 mode) * 1 x PCIe 2.0 x1 • Almacenamiento: - AMD Ryzen™ 2nd Generation/ Ryzen™ with Radeon™ Vega Graphics/ Ryzen™ 1st Generation Processors: * 1 x M.2 Socket 3, with M key, type 2242/2260/2280/22110 storage devices support (SATA & PCIE 3.0 x 4 mode)*1 * 2 x SATA 6Gb/s port(s) * Support Raid 0, 1, 10 - AMD B450 chipset: * 4 x SATA 6Gb/s port(s) * Support Raid 0, 1, 10 • Puertos posteriores: - 1 x PS/2 keyboard/mouse combo port(s) - 1 x DVI-D - 1 x HDMI - 1 x LAN (RJ45) port(s) - 1 x USB 3.1 Gen 2 Type-A, - 1 x USB 3.1 Gen 1 (blue) USB Type-CTM, - 2 x USB 2.0 - 2 x USB 3.1 Gen 1 (blue) - 3 x Audio jack(s) - Memoria RAM: GSKILL SNIPER X TUF • Velocidad: 2400MHZ • Formato: U-DIMM • Capacidad: 8GB • Diseño: Classic Camo - Almacenamiento: • Capacidad: 1TB HDD • RPM: 7200 - Gabinete Inwin 101 TUF GAMING EDITION • Tipo de gabinete: Gamer • Material: SECC, ABS, PC, Tempered Glass • Tarjetas Soportadas: ATX/Micro-ATX/Mini-ITX - Fuente: Corsair CX550M 80+ Bronze Semi-modular • Potencia: 550W _______________________________________________________ >>> INFORMACIÓN ADICIONAL - Computadora Armada y Probada - Los componentes son 100% Nuevos - Facturamos sin costo Adicional - Todos nuestros ensambles cuentan con 1 año de garantía

Computadora Pc Gamer Gtx 1050ti 4gb Intel I3 1tb 8gb 80+ /a. XXXXX TIENDA OFICIAL Powered By Asus XXXXX SERIE TUF GAMING TUF Gaming es una fuerza completamente nueva para todos aquellos que demandan una durabilidad superior, estabilidad confiable y un gran valor en el sector de PC gaming. Hemos creado desde tarjetas madre, laptops, PCs de escritorio, gabinetes, teclados, micrófonos y audífonos, con muchas más emocionantes innovaciones en camino. Cada producto de la serie TUF Gaming es rigurosamente probado para su estabilidad y durabilidad, cargadas con características para los gamers, con un estilo único y distintivo de exhibición. También nos hemos asociado con los principales fabricantes de componentes para formar la alianza TUF Gaming un ecosistema floreciente de productos que garantizan la compatibilidad y la armonía estética. TUF GAMING ALLIANCE TUF Gaming Alliance es la marca de colaboración entre ASUS y los principales fabricantes de componentes de PC, incluidas marcas de confianza como: Ballistix, Cooler Master, Corsair, G.Skill, In Win y Themaltake. Una gama cada vez mayor de piezas compatibles, desde gabinetes para PC y fuentes de poder hasta enfriamientos de CPU y DRAM, garantizan la compatibilidad y una armonía estética. También estamos aumentando continuamente nuestras relaciones, lo que hace que TUF Gaming Alliance sea cada vez más sólida. _____________________________________________________ - Computadora PC Gamer GTX 1050Ti 4GB Video + Core i3 8100 de Octava Generación + 8GB DDR4 + 1TB HDD + Tarjeta Asus TUF H310-PLUS Gaming + Gabinete Asus GT501 TUF Edition + 550W 80+ Bronze Semi-Modular - Características - > Tarjeta de Video Asus GTX 1050Ti > Procesador: Intel Core i3-8100 > Tarjeta Madre: Asus TUF H310-PLUS Gaming > Memoria Ram: GSKILL SNIPER X TUF Edition > Almacenamiento: Disco Duro 1TB > Gabinete: Asus GT501 Tuf Gaminig Edition > Fuente de Poder: Corsair 550w 80+ Bronze _______________________________________________________ Especificaciones: - Tarjeta de Video GeForce GTX 1050Ti • Core Clock: - GPU Boost Clock: 1392 MHz - GPU Base Clock: 1290 MHz • Núcleos CUDA: 768 • Memory Clock: 7008MHz • Memory Type: GDDR5 4GB • Memory BUS: 128 bit • Card Bus: PCI-E 3.0 x16 • Output: - DVI Output: Yes x 1 (Native) (DVI-D) - HDMI Output: Yes x 1 (Native) (HDMI 2.0b) - Display Port: Yes x 1 (DisplayPort 1.4) - HDCP Support: Yes (2.2) • Resolución Máxima: 7680x4320 • SLI / Crossfire Support: NO • PSU Recommended: 300w • Soporte Máximo de Display: 3 - Procesador: Intel Core i3-8100 • Velocidad de Reloj Base: 3.9GHz • Cantidad De Núcleos: 4 Núcleos Físicos • Cantidad De Hilos: 4 Hilos • Memoria Cache: 6MB SmartCache • TDP: 65W • Soc: LGA1151 • Gráficos: Intel HD Graphics 630 - Tarjeta Madre: Asus TUF H310-PLUS Gaming • CPU Compatible: Intel® Socket 1151 for 8th Generation Core™ i7/Core™ i5/Core™ i3/Pentium®/Celeron® Processors • Memoria RAM: DDR4 / 2x DIMM (Máx. 32GB) / 2133-2666MHz / Arquitectura Dual Channel • Puertos PCI: 1 x PCIe 3.0/2.0 x16 (x16 mode, gray) / 2 x PCIe 3.0/2.0 x1 • Puertos SATA: 4 x SATA3 6.0 Gb/s • Puertos posteriores: - 1 x PS/2 keyboard/mouse combo port(s) - 1 x D-Sub - 1 x HDMI - 1 x LAN (RJ45) port(s) - 2 x USB 3.1 Gen 1 (blue) Type-A, up to 5Gbps - 2 x USB 2.0 - 1 x COM port(s) - 3 x Audio jack(s) - Memoria RAM: GSKILL SNIPER X Urban Camo DDR4 • Velocidad: 2400MHZ • Formato: U-DIMM • Capacidad: 8GB • Disipador: SI - Almacenamiento: • Capacidad: 1TB HDD • RPM: 7200 - Gabinete Asus GT501 TUF GAMING EDITION • Tipo de gabinete: Gamer • Material: Acero, plástico, Vidrio Templado • Tarjetas Soportadas: EATX, ATX/Micro-ATX/Mini-ITX - Fuente: Corsair CX550M 80+ Bronze Semi-modular • Potencia: 550W _______________________________________________________ >>> INFORMACIÓN ADICIONAL - Computadora Armada y Probada - Los componentes son 100% Nuevos - Facturamos sin costo Adicional - Todos nuestros ensambles cuentan con 1 año de garantía

Pieza De Fabricante SNP888JGC/8G Pieza De Dell A8711886 Tipo de producto: Memoria RAM Capacidad: 8GB Tipo de memoria: DDR4 Tipo: DRAM Tecnología: DDR4 SDRAM Factor de forma: DIMM de 288 espigas Velocidad: 2400 MHz (PC4-19200) Diseñado para: PowerEdge C4130, C6320, FC430, FC630, FC830, M630, M830, T430, T630; Precision Rack 7910; Precision Tower 3420, 3620, 5810, 7810, 7910; PowerEdge R430, R530, R630, R730, R730xd, R830, R930 Este producto es compatible con los siguientes sistemas: Precision Workstation T7810 Precision R7910 PowerEdge M630 PowerEdge R630 PowerEdge FC630 PowerVault NX3230 PowerEdge R530 PowerEdge R630XL PowerVault NX3330 Precision Workstation T7810 XL PowerEdge R930 PowerEdge R430 PowerEdge FC830 PowerEdge C4130 Poweredge R830 PowerEdge C6320P PowerEdge C6320 Precision Workstation T7910 XL PowerEdge R730XL PowerEdge R730 PowerEdge R730XD Precision Workstation T5810 Precision Workstation T5810 XL PowerEdge T430 PowerEdge T630 PowerEdge FC430 PowerEdge M830 Precision Workstation T7910

Memorias Kingston KVR1333D3N9/2G 2GB 2Rx8 256M x 64-Bit PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM. Este documento describe los 256M x 64 bits de ValueRAM (2GB) DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM sincrónica), memoria 2Rx8 módulo, basado en dieciséis FBGA DDR3-1333 de 128M x 8 bits componentes. El SPD está programado según el estándar JEDEC latencia DDR3-1333 sincronización de 9-9-9 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines usa dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes: CARACTERISTICAS Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin 8 bancos internos independientes Latencia programable de CAS: 9, 8, 7, 6 Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333) prebúsqueda de 8 bits Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS] Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales Calibración interna (auto): auto calibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%) En la terminación del troquel utilizando un pin ODT Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C

$ 500